■茂矽颗粒表现

　　通过第一次的测试，我们对金士顿Value系列DDR400内存有了一个大概的认识，下面要进行的是茂矽品牌内存芯片的测试，与前一款力晶颗粒是否有差异呢？我们一起来看看吧！

　　除去颗粒不同外，PCB与上面介绍的产品一模一样，同样也采用了电镀金工艺和大面积覆铜及宽距走线设计。

　　同样为TSOPII的封装方式，其芯片编号为：V58C2256804SAT5。

　　与力晶颗粒不同，这款茂矽颗粒的两侧我们可以看到4个金属小触点，大家可以看到在芯片中间的部分空地比较大，而两侧的每两个小触点成为一个组，等距排列，它们相对要靠边缘一些。

　　在内存时序上与力晶颗粒产品也是相同的。

　　默认情况下的内存带宽测试，比较一般，没有什么亮点。

　　这是在标准电压下的最低延迟，RP=2显得比较理想，我们看看在这个参数下的内存带宽成绩如何。

　　相对于标准参数下，提升的成绩不是很明显，那么在这个基础上的超频成绩如何呢？

　　210MHz的最终超频成绩比较一般，当然低参数可能会对超频性能产生一定影响，不过这样的表现对于一般家庭而言还是可以满足需要的，如果你是搭配Intel系统，那么超频成绩可能还有进一步提升。