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[评测]差别这么大?金士顿5种内存芯片横向对比

时间:2005年05月17日09:28  来源:走进中关村 热点排行】 【推荐】 【打印】【关闭
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■南亚颗粒表现

  因为市场中找不到南亚256M的DDR400产品,因此我们选用了DDR400的双面512M产品,成绩不具有与其他测试产品的对比性,但是从颗粒本身性能角度来讲,还是可以提供一定的参考意义。

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  因为是双面设计,因此可能类似前两款内存那样的大面积覆铜不容易发觉,但是仔细观察,Vref去藕电容、电镀金工艺的采用可以告诉您——“我没有偷工减料”。

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  南亚品牌内存芯片,DDR400型号,其编号为:NT5DS32M8CT-5T。

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  我们仔细观察一下南亚品牌内存芯片的两侧金属小触点,与茂矽的内存芯片类似都为4个,但不同的是每对金属小触点间的距离更近了,而茂矽颗粒边的小触点则更分散一些。

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  SPD信息,颗粒的名称为南亚NT512D64S8HC0G-5T,与芯片标明的信息有些出入,但应该是软件的信息不太完善所致。

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  默认情况下的内存带宽测试,尽管在容量上与前两款测试产品相同,但因为仅是单通道,所以成绩不是很突出,从这里也可以看出双通道在内存带宽上的优势,如果您的系统支持双通道,那么请尽量购买偶数的内存条,因为这样带来的带宽提升是很明显的。

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  最低延迟,与茂矽产品类似,表现上要比力晶颗粒好一些。

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  提升性能很小,看来我们要把希望寄托在超频测试上了。

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  成绩不容乐观,频率最终仅超到209MHz,或许与双面颗粒有关,在提高频率下对电磁干扰的要求可能更高一些,不过频率提升幅度尽管不是很高,相对于原始成绩还是有一定提高的,如果南亚颗粒有256M的产品到货,我们会尽快为大家弥补这个缺憾。


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