其实这时真正的原因是内存的性能。既然我们要在家庭里手工优化内存，那么我们需要了解什么呢？
首先我们要先了解影响内存性能的几个参数：
一、工作频率
1、DDR内存既然叫做双倍速率SDRAM（Dual date rate SDRSM），就是说他是SDRAM的升级换代产品。从技术上分析，DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。那么大家就应该知道了，我们所说的DDR400，DDR333，DDR266，他们的工作频率其实仅为那些尾数的一半，也就是说DDR400工作频率为200MHz。了解了这些，有助于我们接下面来更改DDR的内存设置。

2、工具测试法，我们可以使用一些工具来测试我们的内存的频率，如SISSOFT SANDRA2005，他们可以很简单的将您内存的工作频率显示出来，比较方便喽...

3、小编能告诉您的是，内存的工作频率的修改将最大程度上的影响您内存的性能，但是超频的前提——散热和扎实的硬件知识是必不可少的，而根据不同机器其他配件的优良程度，超频将是一个非常不稳定且危险系数极大的工作，那么我们的优化可能将为我们机器的今后的使用留下很多的隐患，优化后的烤机和测试的工作量也将非常巨大，看来普通家庭对内存的优化还是要另觅他路哦。

二、工作电压
目前我们接触最多的DDR内存电压是2.5V、2.6V和2.8V，当然随着电压的提高，性能也就提高了。虽然很多主板的BIOS都提供了内存电压的调节选项，但在家庭中由于散热和技术能力的约束，个人修改电压的方法成为了既困难又危险的事情，所以我们暂不考虑他。

三、延迟参数。

什么是内存延迟呢?

    内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。

    打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。

    这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。

    通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。

    如图所示，我们可以看到Crucial DDR333内存的延迟图表。通过这张图表，我们可以看出延迟数字所表示的含义。以最上面的CL=2的内存为例，图中分别有CAS2，CAS2.5以及CAS3三种延时。注意垂直的虚线，它表示的是时钟信号的上升沿或下降沿。由于这是一款DDR内存，因此，一个时钟周期内含有两个点。

    CAS latency是注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟。CAS latency的单位是时钟周期。

    一块延迟设置为2-2-2-5的DDR内存，其性能要高出延迟为3-4-4-8的DIMM。这是因为前者接收到一条指令，找回数据以及送回数据的延迟要比后者要短。

体现在BIOS设置里，还有很多相关的选项：

具体在选项的描述上可能有差异，更多详细请参考附录1。

其实内存延迟的调节一定意义上也是超频的一种手段，但是它是在最低危险程度下根据内存的自身条件做出的调节，也就是说，在内存的反应程度上调节内存的工作的状态，叫它少休息，多工作，所以长期调整内存延迟对内存本身还有一定伤害的。事先声明，并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数成为了我们至关重要的一个环节。