Intel于06年1月5日推出了采用65纳米工艺制造的Pentium9XX系列旗下最高端的一款产品XE
955处理器，这款处理器与90纳米工艺制造的PentiumD840相比在能耗上会降低30%左右，除了采用全新的65纳米制程技术制造的优势外，另一个重要的方面就是将每核心的二级缓存由原来的1MB提升到了2MB，在Pentium
XE 955内部总共集成了3.76亿个晶体管，比Pentium
D8XX（2.3亿个）要多将近1.4亿个，并全面支持Intel的Intel虚拟机技术、MMX技术、SSE/SSE2/SSE3系列技术、EM64T和防病毒等多项技术。
(对比揭开顶盖后Smithfield核心与Presler核心的区别)
（Pentium XE 955工程样品）
（Pentium XE 955
CPU-Z截图）
和当前的Pentium Extreme Edition 840相比，Pentium XE 955由于二级缓存容量更大、支持1066MHz
FSB，因此性能也更强劲。Pentium XE 955的每颗核心都支持超线程，因此同一时刻可以运行四个进程。
（CPU占用率截图）
功能上全新一代的Pentium9XX系列处理器包括XE 955处理器都加入了Intel Virtualization
Technology（虚拟机）技术，简单地说就是让一台电脑同时可以支持多个不同的操作系统。新一代微软Windows
Vista也将会支援VT技术，玩家也可以通过第三方软件来实现VT技术。此外Intel内部现时已经在研发VT Phase
II，将会是完全硬件层面支援而无需要软件的配合。
最后我们简单介绍一下英特尔65纳米工艺细节：
英特尔65纳米（1纳米等于十亿分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片将使英特尔能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。
高级晶体管：英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管，这是当前开始量产的尺寸最小、性能
最高的CMOS晶体管。相比之下，今天最先进的晶体管（用于英特尔® 奔腾® 4处理器）其门长度仍有50纳米长。更
小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。
应变硅（Strained
silicon）：英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度，但制造成本却只会有2％的提升。
采用新型低-K电介质材料的铜互连(Copper
Interconnects with new low-k
dielectric)：新制程集成了八个铜互连层，使用低-K电介质材料来提高芯片中的信号速度和减少芯片功耗。
英特尔已使用65纳米制程制造出晶胞尺寸仅0.57m²
的全功能4M SRAM芯片。小的SRAM 晶胞可在处理器上集成更大的高速缓存以提高性能。SRAM晶胞具有可靠的运行特性，稳定的噪声容限（noise
margin）意味着高效的开关特性。每个
SRAM内存晶胞有六个晶体管：1000万个这样的晶体管只有1平方毫米，相当于一支圆珠笔笔尖的大小。
总结：
纵观Intel双盒家族8XX系列和9XX系列除了在制程方面得到升华之外，在温度上也得到了良好的控制。刹时间仿佛所有的目光都集中到了基于65纳米技术的双核9XX系列处理器及6X1单核处理器的身上，就让我们一起期待65纳米处理器的到来吧！
(责任编辑：刘伟) | 
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