在日前的台北春季IDF上，三星公司展示了其DDR3内存产品实物，并预计Intel将在2007年下半年开始采用DDR3，2009年初有望取代DDR2。

　　据三星内存业务首席工程师Dong Yang Lee称，三星已经准备好在今年下半年开始量产DDR3内存产品，初期频率DDR3-800，随后会升级至DDR3-1066/1333，最高DDR3-1666。

　　目前DDR2内存普遍采用90nm工艺生产，DDR3则将导入70nm工艺，因此生产成本和功耗均将有所降低。Dong Yang Lee表示，SO-DIMM规格1Gb DDR3-1066的功耗将是512Mb DDR2-800的66％，1Gb DDR3-1333为79％，而UDIMM规格分别为60％和71％。

　　技术规格上，DDR3主要是由DDR2改良而来，主要改进包括预取由4位增至8位、核心电压由1.8V降至1.5V、配备全新温度侦测功能、高速接口技术全面升级等等。

三星512MB DDR3 ECC UDIMM内存实物


DDR3功耗改善预计


DDR3关键技术改进


Intel平台内存规划路线图