在IDF上,Intel一名高级官员预测说10年后芯片时钟将高达250THz:
"镓、砷、铟、锑等金属材料可能会有助于英特尔将未来芯片的时钟频率提高至250Thz或更高的水平。
上周四,英特尔负责技术战略的主管鲍罗在“英特尔开发商论坛”上公布了在未来十年后将芯片时钟频率提高至250THz的计划。鲍罗说,通过在硅基片上增添多种其它半导体材料,设计人员将能够控制材料的原子属性。
他表示,在过去的三十年中,我们一直在减小硅晶体管的尺寸,我们目前已经得到了厚度为4 、5 个原子的晶片,但我们无法取得进一步的突破。为了提高性能,我们需要提高电子的移动能力,应力硅能够将电子的移动能力提高一倍,但我们在这一方面会得到极限。
鲍罗表示,包括镓、砷、铟、锑在内的六、七种半导体材料的电子移动能力比硅高,但我们却不会完全转向这些材料。他说,我们无法利用它们制造晶圆片,但我们可以在硅晶圆片上“沉积”部分这些材料。我们可以制造出混合型的半导体材料,因为这些元素是可以混合的。
鲍罗指出,这样的芯片的速度会更快,需要的电压更低。他说,我们认为硅晶体管的最高时钟频率只能达到25THz ,我们能够获得比这一速度高10-100倍的晶体管。" (责任编辑:刘伟) |