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英特尔资深技术专家赵军透露,与今天的65nm技术相比,英特尔45nm技术可以使晶体管密度提升2倍,晶体管切换速度提高20%,同时切换功率降低30%,并将漏电功率降低5倍以上。英特尔公司联合创始人戈登·摩尔对这项新突破给予了高度评价,他表示:“高-k栅介质和金属栅极材料,是自上世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管以来,晶体管技术领域里的重大突破。”
基于45nm工艺的Penryn家族处理器将于今年下半年发布,其依然基于酷睿架构,但在很多方面进行了改进:具备更高的主频和缓存容量,并引入了对SSE4指令集的支持。Penryn双核晶体管数量将达到4.1亿,比目前65nm酷睿2晶体管数量提升25%。
本月早些时候英特尔已经展示了5款Penryn家族处理器,并且已经成功启动Windows XP、Windows Vista、Mac OS X和Linux等操作系统。Penryn将有针对桌面、移动以及服务器的版本,在英特尔的roadmap中显示,目前正在开发的Penryn有15款之多。
今年下半年,美国俄勒冈州Hillsboro的D1D工厂会率先投入45nm Penryn的生产,亚利桑那州Chandler的Fab 32在数周内跟进,然后是投资40多亿美元的以色列耶路撒冷的Fab 28。三家工厂将于2008年上半年交付45nm产品。
(责任编辑:刘伟)
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