全球首创 英特尔/美光推25纳米闪存

　　NAND闪存可用于存储消费电子产品中的数据和其它媒体内容，即使在电源关闭时也能保留信息。NAND制程尺寸的缩小，推动了该技术持续发展并不断出现新的用途。25纳米制程不仅是当前尺寸最小的NAND技术，也是全球最精密的半导体技术——这项技术成就将使当今的消费电子产品和计算设备能存储更多音乐、视频和其它类型数据。

　　该技术由英特尔和美光共同组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies（简称IMFT）生产，单个25纳米制程NAND设备的存储容量达到8GB，为当前小巧的消费电子产品提供大容量存储解决方案。其尺寸仅有167平方毫米——小到足以穿过光盘中间的孔，却能存储比光盘多10倍的数据（一张标准光盘可存储700MB数据）。

　　通过对NAND研发的专注和投资，英特尔和美光大约每18个月将NAND的密度提升一倍，从而带来尺寸更小、成本效益更高、容量更大的产品。IMFT从2006年就开始采用50纳米制程技术生产，紧接着在2008年推出34纳米制程技术。凭借今天公布的25纳米制程技术，英特尔和美光合作推出了业内最小的半导体光刻技术，从而进一步加强了在制程和制造领域的领先地位。

　　采用25纳米技术的8GB设备现已推出样品，预计将在2010年第二季度批量生产。针对消费电子产品制造商，该设备提供了密度最大、每个单元可存储2比特数据的多层式（MLC）芯片，并且支持符合行业标准的薄型小尺寸封装（TSOP），可将多个8GB设备封装在一起，从而提高存储容量。与上一代制程相比，全新25纳米8GB设备可将封装的芯片数量减少一半，不仅实现了尺寸更小、密度更高的设计，还提高了成本效益。例如，组成一个256GB的固态硬盘（SSD）只需32个25纳米NAND芯片（之前则需要64个这样的芯片），一个32GB的智能手机只需要4个这样的芯片，而16GB的闪存卡只需要2个。