搜狐网站
搜狐 ChinaRen 17173 焦点房地产 搜狗
搜狐数码频道 > 硬件频道 > 硬件频道_CPU_内存_硬盘 > 三大件评测

6核12线程怪兽 32nm英特尔新酷睿i7 980X评测

来源:搜狐数码
2010年03月11日13:07
 · 微软发Win8和IE 10紧急补丁  · Win8不搭配触屏影响体验
 · 11月份笔记本出货量惨淡  · 160台Mac Mini建终极服务器
 惠普旗舰超极本  宏碁W700平板  苹果新iMac拆解  索尼Duo11变形本
 

  Core i7 980x处理器的特性之32nm工艺制程

  那么Core i7 980x Extreme Edition处理器又有哪些特性呢,我们知道其除了制作工艺提升之外,Core i7 980x Extreme Edition处理器的x86运算核心共有6个处理器核心,共享12MB的三级缓存,拥有睿频加速技术、超线程技术、集成三通道内存控制器、采用QPI总线通讯等。

  说到这款Core i7 980x Extreme Edition最大的特点,那就是采用了32nm(32纳米)制造工艺技术,也可以说是TICK-TOCK进度中的TICK(工艺)环节,也是对目前主流的45nm制造工艺技术的升级,它是指的半导体晶片的制造工艺技术。我们知道,半导体的制程技术在不断发展革新,同时也让处理器芯片的体积更小,这样在单位面积内的晶体管数量越多,处理器的性能就越发强大,其热量也会得到更好的控制,

  32纳米制程技术就是其采用了第二代高k+金属栅极晶体管

  所谓Intel的32纳米制程技术就是其采用了第二代高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术,该制程技术以大获成功的45纳米制程技术为基础。目前的45纳米制程技术成就了Intel全新的Nehalem酷睿微架构以及英特尔酷睿i7处理器。而在采用高k+金属栅极的45纳米制程技术取得巨大成功之后,英特尔再接再厉推出了采用第二代高k+金属栅极的32纳米制程技术,这种新的制程技术就是用来制造英特尔Nehalem微体系架构第二代产品。也可以说是32纳米版本的Nehalem——Westmere。基于Westmere的产品将应用于以下细分市场:移动设备、笔记本电脑、台式机和服务器。Intel是首家演示了可正常运行的32纳米处理器的公司,目前正在有条不紊地实现其称为“Tick-Tock模式”的新产品创新节奏,即每隔一年交替推出新一代的先进制程技术和处理器微体系架构。

  工艺发展缩影

  英特尔的32纳米计划

  首先,我们想要理解32纳米的概念,就必须要先了解上一代的45纳米工艺和什么是高k +金属栅极晶体管:45纳米制程技术是英特尔于2007年推出的,英特尔内部将45纳米制程称为P1266。正是依靠这种全新的制程,英特尔顺势推出了当时成为性能标杆的英特尔 Nehalem微体系架构并且取得了巨大成功。 而45纳米制程是首次采用高k+金属栅极晶体管的制程,这一技术性的突破既能提高晶体管的性能,又能减少电流的泄露。在推出45纳米制程技术时,英特尔就承诺会快速将全新45纳米技术投入到实际的量产阶段。所以我们很快就在市场上看到了45纳米的处理器产品。并且,此次将45 纳米制程投入量产的速度之快是英特尔历史上前所未有的。45纳米支持的处理器产品在第一年的单位产量已经达到65纳米制程技术同期产量的两倍。而现在来看,目前我们所采用的Intel 凌动处理器、 Intel 酷睿2 双核处理器、Intel酷睿 i7处理器,甚至Intel 至强六核处理器在制造时均采用了45纳米制程。

  六核处理器内部

  而采用第二代高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术,使得英特尔又取得了又一次技术上的飞跃。32纳米制程技术的基础是建立在第二代高k+金属栅极晶体管之上的。英特尔对此前第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。原先在45纳米制程中,高k电介质的等效氧化层厚度为1.0纳米。而在32纳米制程中,此氧化层的厚度仅为0.9纳米,而栅极长度则缩短为30纳米。晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍;此次32纳米制程采用了业内最紧凑的栅极间距。32纳米制程采用了与英特尔45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程,这样有利于英特尔充分利用现有的工艺基础。这些改进对于缩小集成电路(IC)尺寸、提高晶体管的性能很是重要。同时采用高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。由于氧化层厚度减小,栅极长度缩短,晶体管的性能提高了22%以上。这些晶体管的驱动电流和栅极长度创造了业内最佳纪录。此外,漏电电流也得到了优化。利用32纳米技术,英特尔能够将SRAM存储单元的尺寸从45纳米制程技术下的0.346平方微米缩小到的0.171平方微米。与45纳米工艺相比,晶片上的NMOS晶体管的漏电量可以减少5倍多,而PMOS晶体管的漏电量则可以减少10倍以上。因为这些原因,整个电路的尺寸和性能均可得到显著的提升。除此之外,32纳米支撑还采用了第四代应变硅技术,用于提高晶体管的性能——这样一来,Intel便可争取更多的时间和机会进行更多技术创新。

[上一页] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [下一页]
转发至:搜狐微博 白社会i贴吧
责任编辑:yangzhixin
上网从搜狗开始
网页  新闻

我要发布

近期热点关注
网站地图

数码频道

搜狐 | ChinaRen | 焦点房地产 | 17173 | 搜狗

实用工具