【搜狐数码消息】11月16日消息,三星日前正式推出了使用10纳米技术工艺打造的下一代64GBeMMC闪存芯片。
在此之前,三星上一代20纳米闪存芯片在今年8月份才刚刚投入量产,而新一代64GB eMMC Pro Class 2000目前已经面世。相较之下,新一代芯片的占用面积缩小了20%,性能和制造生产力却得到了30%的提升。
三星上一代闪存芯片在几个月前才开始利用LEDEC的eMMC 4.5界面标准,公司已经计划在明年接触该组织,以建立能够处理这种新设计的最新标准。
三星新款闪存芯片的读写速度分别能够达到5000IOPS和2000IOPS(上一代只有3500/1500),并将读写带宽拓展到了260MB/s和50MB/s。
据悉,这款闪存芯片已于上个月末开始量产,并将被用于最近推出的智能手机和平板电脑之中。(Eskimo)
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