NAND闪存技术突破 1万次读写提升至1亿次

　　【搜狐数码消息】12月5日消息，台湾公司Micronix日前声称，公司开发出的一种技术突破能够让NAND闪存变得更加可靠。

　　NAND闪存目前普遍应用于智能手机和平板电脑等设备，相对于传统硬盘速度更快。但该技术也存在一定的缺陷：NAND闪存只能承受1万次的读写周期，在此之后使用寿命便会殆尽。

　　Micronix表示，通过公司开发出的特殊“自愈”工艺，NAND闪存原本1万次的读写周期能够被拓展到1亿次。该工艺包含为闪存芯片配备“能够退火小组储存单元的板载加热器”。

　　但是，目前还不清楚这项技术何时能够进入市场。（Eskimo）