iF设计大奖产品中兴Grand S将全球首发

　　去年12月27日中兴通讯“ID设计之夜”上，中兴高端智能旗舰Grand系列旗下一款全新的高规格新机Grand S进行了亮相，这款手机刷新了中兴传统设计理念，造型相当惊艳。值得一提的是，在今年全球设计界顶级峰会“iF国际设计大奖”上，Grand S“征服”了49位国际顶尖设计大师的挑剔眼光，从全球51个国家制造商的4325件参选作品中脱颖而出，喜摘全球年度设计大奖殊荣！

　　据了解，iF设计大奖至今已有60年历史，是公认世界最重要的设计竞赛之一，素有“设计奥斯卡”的美誉，与德国红点奖、美国IDEA奖并称为世界三大设计奖。除了每年吸引众多国家和作品参选，iF设计大奖还以评审严格著称，评奖团由国际顶尖设计师组成，不但考虑产品的外观设计和创新，更加注重产品是否实用、安全、环保，在安全性、耐用性等用户体验属性上均有明确指标，以往得奖的多为宝马、奥迪、苹果等国际尖端品牌，而Grand S的获奖也标志着中兴作为民族品牌，在工业设计高精端领域已具备了与国际比肩的水准。 另据了解，这款产品将在2013年美国CES展会正式发布，届时将会向全球公布这款产品的详细配置和参数。

　　源于自然，回归自然的设计哲学

　　纯净、简约，是中兴Grand S给人的第一印象：5寸的大屏通体瓷白，背部黑色水滴设计横枕机身上端，方正的外形不乏弧线相接。据设计师介绍，其设计灵感来自瓦片，“曾经瓦和碗一样，作为日常容器使用，手机也是一个‘容器’，是当下日常生活的主要信息承载体，不同的是瓦片是传统人文产物，手机是现代科技代表，这是两个时代的碰撞，我们设计师的工作就是将两个元素完美融合，让科技质感充满人文气息。”

　　从Grand S底端平视，手机中间部位板平雅致，在边框以平滑的弧线紧俏收提，整体是一条浅浅的曲线，似瓦片的弧线，又如碗的剖面；手机背面，厚度逐渐从底端向上收紧，在颈部最薄处，陡然爬升，将顶端横枕嵌入其中，柔和的曲线除了很强的适握感，上下略微隆起两端又多了层防滑的功能；特别值得强调的是背部黑色横枕，设计师吸纳了水滴的元素，营造晶莹质感的同时，也与机身完美融合，“水滴”内部排布紧致的网纹，让“水滴”造型的立体视觉更饱满。

　　瓦片、水滴，这些取自自然的灵感，完美呈现在手机造型上，设计感的同时也增加了功能性，这也正契合了中兴通讯所秉承的“亲、新、简、思”设计理念。实际上，晨露、绿叶这些自然中的元素，经常被中兴设计师敏锐捕捉，并以作品的形式呈现出来，这便是中兴源于自然，回归自然的设计哲学。

　　Inside-out： 形能分而相融的设计概念

　　0.55mm全球最薄触摸屏、3.14mm超窄边、6.9mm超薄机身，Grand S创造的不止一个世界纪录。一薄再薄，全球所有的手机品牌都在削减厚度上大下苦功，中兴通讯是何以力压群雄做到全球之最的？顶端黑色横枕的设计初衷是什么？相信许多人在第一次见到Grand S都会有这样的疑问。

　　据设计师介绍，凸出的黑色横枕区域正是成就Grand S全球最薄的关键。

　　“黑色横枕的区域，一般是安置手机摄像头的地方，采用凸出设计也是一种主流，但Grand S的这块凸出的黑色，不仅仅是摄像头，其内部集合了手机大部分的关键元件，将常规分散在机身的零部件整合到一个地方，整个机身就做薄了。”这就是在Grand S设计中设计师常提及的“Inside out”概念：内部功能合理区分的同时，以完美的形式呈现，实现观赏性与功能性的水乳相融。

　　此外，Grand S也采用了Uni-body机身一体化设计，将减法做到极致，也助力Grand S薄到了极致。

　　国际化设计团队，国际化视野

　　好的作品关键是人才和眼界，中兴为打造更多Grand S类的旗舰产品，邀请了以范文迪为代表的多个国际顶尖设计大师加盟，而在内部设计策略及流程上面，强化国际化的视野，激发员工的创作激情。这也是此次Grand S荣获大奖的重要原因之一。

　　在行业内屏核之争日趋白热化的趋势之下，民族品牌在硬件上已逐渐完成对国际品牌的赶超，但设计领域往往被忽略，中兴Grand S登顶iF大奖，也初步显露了民族品牌在手机设计上具备了比肩国际顶级的功力。据中兴通讯全球设计总监Hagen Fendler介绍，中兴通讯手机设计拥有超过15年设计经验，每年上百个上市项目，获得了二十多项国际设计界大奖。

　　目前，中兴手机已经建立起一只近400人的强大设计团队，建立了以用户为中心的、面向市场支持经营的设计流程，在中国大陆有4个设计中心，德国亦有一间工作室。2012年，中兴通讯部署全新设计战略，大量引进国际高端设计人才，并计划2013年在美国、欧洲成立设计中心，打造一流国际化设计团队服务，进一步加速设计国际化进程。