Intel Broadwell-E发烧平台推迟：明年3月再见

　　Intel Skylake六代酷睿主流平台已经全面登场，但是在高端发烧领域，现在是上上代的Haswell-E，而新的Broadwell-E不但还得等半年，规格上也了无惊喜。

　　Broadwell虽然在主流市场上主攻移动笔记本平台，但在发烧平台上不会缺席，只是需要慢慢等。它最初计划在2016年初的CES大展上发布，但现已推迟到3月24-28日的德国汉诺威CeBIT。

　　根据最新曝光的进程表，Broadwell-E要在今年第42周(10月中旬)才会完成第二版工程样品，2016年第2周(1月上旬)方才进入QS质量认证阶段，投产则是2016年2-3月份。

　　规格方面，Broadwell-E将会升级到14nm工艺，但沿用Haswell-E LGA2011-3封装接口和X99平台，内存仍是四通道DDR4，频率从2133MHz升级到2400MHz，最大核心数还是8个，热设计功耗最高依然是140W。

　　换句话说，它的进步幅度大致相当于之前的Ivy Bridge-E，基本就是换个新工艺而已，而要想看到更大幅度的跨越，还得再等Skylake-E。