三星品牌存储举行五周年庆并发布系列产品

    3月17日，三星品牌存储“5年相伴，铭刻于星“五周年庆典活动在北京朝阳区八里庄红领巾公园健壹迎祥会议服务中心成功举办。活动回顾了三星品牌存储的发展节点并发布了2016年一系列重量新品。

    在消费级SSD领域，全新的950 PRO固态硬盘采用V—NAND 3D垂直闪存技术，并在消费级SSD中首次采用了NVMe标准。950 PRO采用4通道第三代PCI-e接口，连续读写和随机读取速率都有所提升，512GB的连续读写速度可达2500/1500MB/s，随机读写可达300000/110000 IOPS。满足用户对未来计算系统不断增加的存储需求。850PRO、850EVO系列产品，升级到第三代V—NAND，由32层升级到48层堆栈技术，单颗容量可达256Gb即32GB。与上一代的单颗128Gb容量的产品相比，第三代V—NAND不仅容量翻倍，功耗也有30%下降。

    在企业级SSD方面，三星SM/PM 863采用开创性的 V—NAND技术， 在 2.5 英寸的规格内将系统容量最多增加到 3.84 TB，可节省宝贵的空间而没有额外的功耗或影响性能。

    在移动固态硬盘方面，三星存储新推出了T3，这是一款只有手掌大小、时尚精美、具备TB级存储容量的外置固态硬盘。T3采用三星专有的垂直V—NAND技术和TurboWrite(写入加速)技术，保证了产品的先进性能，适合有快速、轻松存储数据，进行跨设备大容量多媒体内容传输需求的用户。

    在存储卡产品端，目前包含PRO Plus, PRO, EVO Plus 和 EVO 几大系列。其中三星品牌存储推出的PRO Plus存储卡，最高读取速度可达95MB/s ，最高写入速度达到90 MB/s，可以存储或传输由高端数码单反相机、智能手机、平板电脑和运动型摄像机创作的专业级照片和4K超高清视频内容。

    在U盘产品方面，三星存储推出了全新的USB 3.0U盘，Bar、FIT和DUO。每个U盘都采用三星NAND闪存技术，可提供高达130MB/s的顺序读取速度，支持5年保修。