■为什么用延迟测试？

　　上面简单介绍了一下有关内存超频的相关内容，下面我们来谈谈延迟。

　　如果说单位时间内传输数据的次数我们可以理解为频率，那么每2次传输数据中的等待时间，就可以理解为延迟，当然，这是很不严谨的，之所以这样说是为了让朋友们抛开生涩难懂的专业术语而更容易理解。

　　通常提到延迟，在SDRAM时代最“著名”的当属CL值，它的全称是“CAS Latency”即CAS潜伏期，或许很多朋友会问：“CL是CAS潜伏期，那CAS是什么呢？”CAS是“列地址选通脉冲Column Address Strobe”的缩写，如果细说的话那还要从内存工作的原理谈起，这片文章的主旨并非讨论技术，我们也就不浪费版面了，大家可以简单理解：内存在内部存储的方法可以理解为一个矩阵式数据仓库(打开您的Excel或许更容易明白)，如果需要选择读取相关数据，那么选址是首先确定行位置，进而选择列地址就可以确定数据了。选定后的数据输出不是同步的，例如内存得到内存控制器的指令需要输出一特定数据，在选址确定数据后到最终输出之间有一段时间的延迟(准确来说是潜伏期)，而这个最终潜伏期的长短对内存性能也有一定影响，尤其是对目前的主流DDR内存来说。JEDEC相关规范显示，CL值应该为2、2.5，也有很多厂商SPD信息中规定为CL=3，大家可以简单理解，凡CL默认值为3的DDR400内存产品，那么它不属于DDR400A级别(还有DDR400B、DDR400C，它们都是根据CL-tRCD-tRP值来确定等级，最好的为DDR400A级)。

　　到了DDR时代，除去CL值比较引人注目外，又增加了两种颇为引人注目的数值组成了新的内存参数“三剑客”——tRCD、tRP和我们熟知的CL，tRCD即RAS to CAS Delay，也就是行地址选通脉冲到列地址选通脉冲的延迟；tRP是RAS Precharge，行预充电时间，也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间；这里我们就不详细解释了，有兴趣了解的朋友可以参考一下JEDEC组织的JESD79D白皮书。

　　以上我们讨论的潜伏期或延迟的值都是越低越好，本次测试中我们也将考验每种颗粒标称电压下的各种延迟、潜伏期极限数值。