■力晶颗粒表现

　　首先进行测试的是力晶公司内存芯片的产品。

　　这款产品采用了电镀金工艺并且使用大面积覆铜及宽距走线，这对内存的抗电磁干扰及保证信号的传输准确、稳定有好处，当然最终的性能内存芯片本身也很重要。

　　TSOPII封装方式，内存芯片的编号为：A2S56D30BTP。

　　内存芯片两侧可以很明显看到两个金属小触点，它们的位置接近于“三等分”，通常情况下我们可以通过它来分辨其是哪一个公司的产品(某些时候芯片上的字迹可能会通过打磨而变换，但是这种小金属触点却没有办法更改，因此是一个比较好的辨认方法)。

　　SPD是通过软件读取的，我们来看看其默认的SPD信息，从图中得知，这是2005年17周的产品，在标准DDR400下CL-RCD-RP-RAS值为3-3-3-8。

　　在默认SPD为参数下带宽测试成绩，配合AMD的优秀内存控制器成绩不错。

　　内存最低时序设置，2.5-3-3-5的表现不是很令人满意。

　　低延迟下的内存带宽表现，同样提升不是很明显，成绩比较一般。

　　不知道是不是因为延迟较高的原因，这款产品的超频性能让人眼前一亮！228Hz的频率成绩是此次超频测试中的最佳，而随着频率的提升，带宽测试的成绩也让人满意，这是此次不同颗粒间性能对比测试中的一匹黑马。

　　第一次测试就来了个开门红，其他颗粒的表现会如何呢？