■南亚颗粒表现

　　因为市场中找不到南亚256M的DDR400产品，因此我们选用了DDR400的双面512M产品，成绩不具有与其他测试产品的对比性，但是从颗粒本身性能角度来讲，还是可以提供一定的参考意义。

　　因为是双面设计，因此可能类似前两款内存那样的大面积覆铜不容易发觉，但是仔细观察，Vref去藕电容、电镀金工艺的采用可以告诉您——“我没有偷工减料”。

　　南亚品牌内存芯片，DDR400型号，其编号为：NT5DS32M8CT-5T。

　　我们仔细观察一下南亚品牌内存芯片的两侧金属小触点，与茂矽的内存芯片类似都为4个，但不同的是每对金属小触点间的距离更近了，而茂矽颗粒边的小触点则更分散一些。

　　SPD信息，颗粒的名称为南亚NT512D64S8HC0G-5T，与芯片标明的信息有些出入，但应该是软件的信息不太完善所致。

　　默认情况下的内存带宽测试，尽管在容量上与前两款测试产品相同，但因为仅是单通道，所以成绩不是很突出，从这里也可以看出双通道在内存带宽上的优势，如果您的系统支持双通道，那么请尽量购买偶数的内存条，因为这样带来的带宽提升是很明显的。

　　最低延迟，与茂矽产品类似，表现上要比力晶颗粒好一些。

　　提升性能很小，看来我们要把希望寄托在超频测试上了。

　　成绩不容乐观，频率最终仅超到209MHz，或许与双面颗粒有关，在提高频率下对电磁干扰的要求可能更高一些，不过频率提升幅度尽管不是很高，相对于原始成绩还是有一定提高的，如果南亚颗粒有256M的产品到货，我们会尽快为大家弥补这个缺憾。