上面我们说了目前符合JEDEC规范的DDRII内存规格共有四种,分别是DDRII-400、DDRII-533、DDRII-667和DDRII-800。那么DDRII内存到底有何技术特点呢?它凭什么取代DDR一代内存呢?下面小编给您介绍一下。
除了频率上的提升外,DDRII的电压由DDR的2.5V降到了1.8V,降幅达到了30%,更加节能。同时DDRII还具备了4位预取、Posted
CAS、整合终结器(ODT)和FBGA/CSP封装等四项新技术。
与DDR技术相比,DDR2最大特点是采用4-bit
Prefetch技术不定期有效提升内存。DDR2内存的基本根本工作原理类似于DDR SDRAM。不过,DDR
SDRAM每个时钟周期内可能通过总线传输两次数据,而DDR2
SDRAM则可以传统4次数据。DDR2使用一样的内存cell,但是使用多路技术使得带宽加倍。
DDR2内存cell的工作频率仍然与DDR SDRAM和SDRAM的cell工作频率一样,但是DDR2
SDRAM的I/O缓冲区的工作频率要更高一些。这样,当I/O缓冲区执行多路技术时,数据沿着一条较宽的总线进入内存cell,然后又通过一条与DDR
SDRAM总线位宽相当的总线出来,但它的传输速率却是DDR SDRAM的两倍。
这种数据传输方式又叫四位预读取(4bit
Prefect)架构,类似于Rambus的四倍Rambus信号模型技术,同样可以在核心频率较低的情况下实现较高的数据传输率。
然而,这个方法虽然可以有效果提高内存带宽,但也有它的缺点——最主要的就是高延迟。影响延迟的主要因素是内存cell自身的延迟。DDR2-533的延迟相对DDR266或PC133
SDRAM来说都要高,更不用说与DDR400相比了。针对延迟问题,厂商们在DDR2中引入了posted CAS技术、通过使用附加延迟(additive
latency)的概念来改善延迟所带来的问题。
除此之外,DDR2中还引入了ODT、OCD等先进技术。OCD(Off-Chip
Driver),即离线驱动调整,DDR2通过OCD可以提高信号的完整性。DDR2通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性,通过控制电压来提高信号品质。而ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR
SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。
与DDR内存相比,DDRII内存还采用了与TSOP封装形式完全不同的FBGA封装。与广泛应用的TSOP封装形式相比,FBGA封装具有更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。
(责任编辑:刘伟)
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