CPU核心供电VRM(Voltage Regulation Module，电源调整模块)使用多项设计是目前的一种潮流，三项供电已经习以为常，可以说是标准配置，而四项供电则是主流。那么到底何为“项”的定义呢？下面先作一个简单的说明：
单相降压(Bulk)系统简图如下：
可以看到一个高端场效应管High side MOSFET(Q1)跟低端场效应管Low side MOSFET(Q2)，一个输出电感(L)以及一个输出电容(C)，这样构成了最简单的单相交换式降压电路。主板上面最基本单项回路构成就是一个电感、一个电容再加上两个MOS管。
各端点波形如下：
可以看出单相电路于电感端输出电压及波形会随着每相ON-OFF交换而变动，这时就需要电容、电感储能来于截止时释放能量，所以当负载增大时，便需要更大的电感器以及更多的电容器，以储存更多能量。
而且为了改善瞬时响应，必须提升交换频率，但过度提升交换频率代表需要使用高速开关组件，然而MOSFET管的高速特性并不优异，所以会导致切换效率的下降，进而导致转换效率不佳。
High side MOSFET必须承受导通时负载所需电流，Low side MOSFET于截止时承受电容电感释放储能的能量，为了得到更大输出时也需使用更大容量的产品，不仅发热量高，成本也增加不少。
这就是大电流应用场合，多相位式设计流行的原因。
下图为二相降压系统的简图：
可以看到两组单相电路输出并联，但光只是电路并联并没有用，控制波形也要进行相位偏移动作，让两组电路交互动作，波形特性如下：
由波形看到，两组电路因为相位偏移，使输出波形得以重迭，就像一组以两倍频率运作的电路，所以多相电路，可以以较低的交换频率，各相累加后总交换频率也可以提高。
通过以上的分析可以整理出多相式VRM具有以下的优点：
1.因为输出电流分配至各相位，所以每对HS/LS MOSFET所承载的电流会比较小。
2.因为MOSFET电流降低，导通时散发的热量变少，且散布到各相区域，所以热密度较小，散热问题比较简单。
3.流过每相电感的电流变少，所以可选择饱和电流以及有效电流较低的产品，降低成本。
4.总涟波电流因为相数增加的关系，每个相位的涟波电流较低，输出电容的数目得以减少。
5.因为总输出频率 = 单一相位交换频率 * 相位数，较高的输出频率使得瞬时响应也获得了改善。
6.因为各相电流减小，每相MOSFET数目减少，可简化MOSFET驱动器驱动能力的问题。
然而采用多相位输出主要难处在于如何去平衡每个相位的电流，假设电流平衡做的不好，在大电流输出的相位将依电流平方的比例产生功率消耗，不仅导致过热，并造成VRM效率降低。
(责任编辑：刘伟) | 
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