深圳市场

　　NAND FLASH方面，今天市场主要还是追逐Hynix1G/2G的产品，大容量的产品还是没有需求出现，价格依然存在压力。从需求来看，国内普遍工厂的需求并不是十分旺盛，寻货的数量不多；从货源来看，低价格的货源并没有太多报出，足以看出，货源过于集中，需要谨慎操作。

　　DRAM方面，今天海外市场报盘不够积极，价格也比较坚挺，下午出现了频繁的寻货动作，使价格略微抬高，国内通路的动作不是很明显，随后的行情，我们持乐观态度。

　　（信息由 ChinaDram 提供）

　　香港市场

　　2006年第一个工作天, Nand Flash市场表现较为平静. 今天市场主要关注1Gb/ 2GbHynix产品, 需求平稳. 但是, 高容量产品却略为受到压力. 4Gb价格显著向下跌, 市场需求放缓. DDR方面, 今天DDR400 32Mx8 UTT价格逐渐上涨至.06, 市场出现补货活动. 整体市场表现较为放慢, 市场报价也不多, 尤其是DDR400 32Mx8 / 64Mx8品牌. 大部份通路都抱持观望态度. 

　　（信息由福意国际提供） 

　　台湾市场 

　　今日的DRAM现货市场, 由于多数供货商已恢复上班, 市场也显得热络许多, 尤其是在DDR2 512Mb(64M*8)以及512Mb(64M*8)400MHz的部分, 需求明显. 主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz/266MHz的价格则维持在USD 2.111/USD 2.25 与 USD 2.072. UTT(ETT)的部份, 也持续在供应量不足的情况下, 价格继续上涨了1.18%至USD 2.05, 成交量有明显放大.

　　在NAND FLASH的部分, 虽然供应端报价已恢复正常, 不过在需求疲软的因素下, 除了1Gb以外, 其余颗粒都是呈现开高走低的现象. 主流品牌的1Gb/2Gb/4Gb/8Gb与16Gb的价格调整至USD 7.57/USD 15.26/USD 24.82/USD 42.62与US D71.2, 1Gb小涨0.4%, 是今天唯一上涨的颗粒.

　　欧洲市场

　　随着大部分人都结束假期开始正式上班，业者注意到目前的市场表现出显著的活跃气氛。周二模组现货市场贸易活动增多。整个欧洲市场的DDR400模组的库存水位都很低，这就使价格上涨有根本上的动力。DDR2和DDR400之间有　$ 6.00 到 $ 7.00之间的正常差距，导致了一些通路的投机动作。一个来自英国的通路暗示目前说本次上涨是长期的还是短期的投机还为时过早。目前第一季度的需求预期不错，有望能扭转上一个季度低迷的境况。

　　美国市场

　　周五很多炒家在元旦假期前就停止工作，所以DRAM市场没有什么贸易活动，价格没有变化。上周贸易稀少，只有周三PC133方面有点现货交易，价格在　$ 3.30 到　$ 4.00之间。进入2006年，许多业者表示他们预期2006年大部分时间DRAM价格还将继续走低的趋势，因为原厂仍主要集中生产NAND Flash产品，而不是DRAM。

　　（信息由 ChinaDram 提供）

(责任编辑：刘伟)