索尼发布65nm Cell处理器 已达6GHz

近日，索尼电脑娱乐公司（SCE）联合IBM，东芝在国际固态电路会议（ISSCC）上发布了65nm制程的Cell处理器，应用了新的SRAM缓存技术，最高频率可达6GHz。

同原本90nm的Cell相比，新的65nm版本使用SOI绝缘硅技术制造，体积更小，耗电量也更低，有利于节省成本，预计在量产后很快就会在PS3游戏机中替代现有的90nm型号。除了制程的更迭，Cell在设计上也有了一定意义上的改良，采用双供电SRAM阵列。除了普通意义上的处理器供电电路（Vdd），65nm Cell专门为SRAM处理器L1、L2缓存缓存设计了第二路供电线路（Vcs），提高稳定性。改良设计后的Cell可以达到更高的频率，同时降低功耗。

索尼公司宣称，他们在实验室中已经将新的65nm Cell处理器在1.3V的电压下超频至6GHz稳定运行。即使在1.0V的电压下，Cell也能完好运行在4.2GHz的高频率下。当然，在PS3等消费产品中肯定不会使用这种极限频率，但如此大的提升空间也可以保证正常情况下处理器运行的稳定性。

在会上，索尼还谈了Cell未来的发展方向。由于之前的90nm Cell成本过高，产量也一直跟不上，原本承诺的在家电产品中的广泛应用一直没有实现。但在换用65nm工艺后，由于成本、功率等的下降，Cell联盟计划加速其向家电业的进军。他们计划将Cell中的8个SPE减半，提供家电版的简化处理器。甚至直接取消主处理单元PPE，让仅包含数个SPE的Cell和其他类型的中央处理器在电器中实现合作，专门用作媒体加速处理器。

从技术的进展上讲，索尼称Cell不仅仅会有这一代产品，如果投入如此巨大的Cell架构仅仅在一个PS3上应用实在太浪费了。下一代PS4应当也会使用经过革新的Cell架构处理器，目前也正在进行下一步研发。另外，对于IBM在本次ISSCC上公布的65nm SOI eDRAM缓存技术，Cell也可以考虑是否在今后使用大容量eDRAM缓存提高性能。

(责任编辑：刘鹏)