英特尔目前市场上的固态硬盘均为50nm工艺，显然人们对此并不满足，英特尔也感受到了压力。据传，英特尔即将在2周之内发布基于34nm工艺的新款固态硬盘，比之前公布的发布路线的第四季度大大提前了。

　　事实上早在去年11月份，Intel就和美光宣布双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片并已经投入量产，成为了业界第一款40nm工艺以下的NAND闪存产品。这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产，切割自300毫米晶圆，核心面积172平方毫米，在同类产品中是最小的。单芯片容量32Gb，一块晶圆可以切割出1.6TB的合计容量。

　　另外通过标准的48引脚TSOP封装，还可以将这种芯片做成更大容量的NAND闪存设备，比如两个八裸片封装就能实现64GB。Intel表示，这种34nm 32Gb NAND闪存芯片是专为固态硬盘设计的，能带来更大的容量、更小的体积、更低的价格。

　　今年初的时候，Intel相继公布了34nm闪存的路线图，包括 X18-M、X25-M、X25-E等三大系列将全面进入34nm工艺时代，最大容量将达320GB。另外面向企业级用户的X25-E也将由50nm NAND闪存芯片升级到34nm，容量翻倍为64/128GB，采用SLC封装。

　　编辑点评：我们一直对固态硬盘都非常的看好，此番Intel推34nm工艺更是让人拍手称快，因为34nm工艺固态硬盘的发展除了带来更大的容量、更高的性能以外，最重要的是还会带来更低的价格，固态硬盘的普及速度有望进一步加快。而且，随着固态硬盘的发展，对操作系统尤其是Windows7的支持将更加完美。