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内存升级进行时明年DDR3成笔记本标配

2009年10月13日10:49 [我来说两句] [字号：大 中 小]

来源：IT168网

去年迅驰二平台的发布当大家都把注意力集中到处理器、芯片组这些平台的核心部件的时候，不要忘了内存的全新的规格DDR3也悄悄的走进了我们的身边。在新平台发布后，英特尔将正式提供对DDR3内存的支持，刚推出时的价格要比DDR2高出60％左右，不过到2008年底就会降低到只有10％。

DDR3内存的价格一直在DDR2之上。

　　DDR2内存首次超越DDR3内存

　　不过就在近期来自DRAMeXchange的统计数据显示，10月上半月2GB DDR2内存条的平均合约报价上升到了31.5美元，首次超过了2GB DDR3(31.0美元)；同时1Gb DDR2内存颗粒升至1.78美元，也超过了1Gb DDR3的1.75美元。根据报道1Gb DDR2的价格在8日一天就飙升了5％以上，DDR2 1Gb 800MHz颗粒的平均报价达到2.24美元，高于DDR3 1Gb，DDR2 1Gb eTT颗粒的平均报价也达到了2.18美元，逼近DDR3的2.21美元。

　　目前已经开始供应DDR3内存芯片的厂商包括三星、Elpida、Micron、HY、英飞凌等，几乎涵盖了所有的内存芯片厂商。从原则上看，产生DDR2与DDR3内存芯片的成本是差不多，随着各大DRAM厂商陆续提高出货量，1Gb DDR3颗粒的现货价格自8月份以来的增长速度很有限，远不及1Gb DDR2迅猛，终于被其超越。

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　　DDR3内存成为笔记本电脑标配

　　就目前来看，越来越多的整机厂商也在进行着新品的内存升级换代行动，这也使得DDR3内存的出货量增加，价格下降。日本尔必达日前也宣布，将从9月起把DDR3颗粒的出货量提高到7.5万块晶圆，三星存储部门的一位高管也在9月份表示，三星正在积极提高DDR3颗粒产量，预计供应紧缺状况将很快缓解。根据数据推论2010年的DDR3内存的份额一定会超过一半以上。

　　我们似乎可以预言DDR3内存马上将会成为整机的主流配置。DDR3内存标准，将会随着迅驰2和英特尔酷睿架构齐登上个人电脑大舞台，统领数年风骚的DDR2也将在明年地正式退位，这也许就像是电力发动机代替蒸汽机一样自然。

　　内存从第一代SIMM开始，发展到EDO DRAM，再到辉煌的SDRAM，之后迎来了如日中天的DDR、DDR2，到现在的DDR3已经是第六代内存产品了。内存的发展，一直保持着稳定的步调，以简单的加法关系，进行着性能的推进，有一天DDR3最终也会被DDR4所取代吧。

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　　分析：为什么要换DDR3内存？

　　DDR3其实早在登录台式机和笔记本电脑平台的时候，就已经在显存领域试水了，它的高带宽让显卡的性能又一次获得了提升。那么DDR3应用到笔记本电脑的移动领域，又将会带来什么样的新局面呢？

　　与其说DDR3是我们对平台，对计算机性能发展的需要，还不如说DDR3的出现是因为摩尔定律和业界更新换代所自然诞生的产物。在DDR2已经走到其性能最顶峰的时候，DDR3的出现也就成为了必然。与它的前一代规格DDR2相比，它最大的进步，就是进一步提升内存的带宽，这也可以说是为了配合前端总线频率越来越高的处理器而必须要提升的一项性能。

　　DDR2内存的频率虽然也可以达到1066MHz，但是在这样的极端频率下DDR2的表现及成本都非常不理想。DDR3内存的频率起跳点就设置在了1066MHz，为内存与新一台平台的对接提供了最佳的解决方案。可以预见的是，在不久的将来，1600/2000MHz频率规格的DDR3内存的性能，最终会将DDR2内存远远拋在身后，成为用户使用高带宽内存的唯一选择。

　　除了性能上的进步之外，DDR3比DDR2的能耗更低。能耗，对于移动平台来说，是一个关系到电池能力，发热量，甚至外形设计的一个重要关键词。虽然内存的功耗不至于有发一而动全身的影响力，但至少有几点是可以肯定的。

　　在系统运行和待机状态下，DDR3内存可以让电池获得更多的使用时间。与DDR2内存相比，DDR3可以增加10多分钟的HD DVD回放时间。DDR3内存的发热量更低，其散热范围为3瓦时，它能满足Windows Premium和HD DVD标识要求，更符合能源之星的标准要求，在更小的发热量下，笔记本电脑将有可能被设计出更纤小，更紧凑的外形。

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　　蜕变！DDR3与DDR2终极PK

　　一、DDR3与DDR2对比

　　虽然DDR3是将完全替代DDR2的全新规格，但是其实只是性能上的提高，DDR3依然沿用了DDR2的构架。下面我们就来看看DDR3相比DDR2到底在哪些方面有了改进。

　　1. 工作电压与频率

　　DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR3目前最高能够可以达到1600Mhz的速度，目前最为快速的DDR2内存速度为800Mhz/1066Mhz。

　　2. 逻辑Bank数量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

　　3. 封装（Packages）

　　DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

　　4. 突发长度（BL，Burst Length）

　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

　　5. 寻址时序（Timing）

　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

(责任编辑：yangzhixin)
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