背照式CMOS传感器由索尼公司开发,被索尼称为Exmor R CMOS传感器。这种传感器通过向没有布线层的一面照射光线从而避免了金属线路和晶体管的阻碍。更具体地说,Exmor R CMOS是将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层,把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”,而不是像传统CMOS传感器一样,A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层,“挡住了”一部分光线。如此一来,通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用,开口率得以大幅度提高(提高近100%),即便是小尺寸的影像传感器,也能获得优良的高感光度能力。与以往1.75μm像素间隔的传统传感器相比,Exmor R CMOS在灵敏度(S/N)上具有很大优势,感光能力号称是过去同尺寸传感器的两倍。