三星电子宣布,已成功开发出全球第一款单条容量高达32GB的LRDIMM型内存条,主要面向服务器应用。
去年三月份,三星就曾率先开始出货16GB DDR3 RDIMM内存条,使用了64颗50nm工艺2Gb内存颗粒,并且引入了双芯片(Dual-Die)封装技术。去年六月底,三星又迅速将DDR3 RDIMM内存条的容量扩大至32GB。
如今的32GB DDR3内存条则使用了40nm级别工艺制造的新颗粒,工作频率1333MHz,电压1.35V或者1.5V,单颗容量翻番到4Gb,总共使用了72颗,每面四行、每行九颗,其中八颗用于校验。
特别值得一提的是,该内存上还附加了一颗内存缓冲芯片,可将内存子系统的负载降低最多75%,因此三星将这种内存条称为“LRDIMM”(低负载),可用来取代RDIMM,这也是第一款使用40nm级别工艺的LRDIMM内存条。
使用32GB LRDIMM,单颗处理器搭配的内存子系统容量可扩大至384GB,用于双路服务器系统就是768GB,而使用之前推出的32GB DDR3 RDIMM内存条只能达到512GB。
三星电子表示,这种32GB LRDIMM内存条将于今年下半年投入量产。
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