背照式传感器(BSI)和传统传感器设计不同之处在于把与感光无关的走线与光电二极管分开到芯片的两面,这样不仅可以增加光电元件曝光面积(开口率增加),而且减少光线经过布线层时的损失。背照式CCD是相对于常规的前照射CCD而言的,具有更好的量子效率,因此也具有更好的灵敏度。EMCCD为电子倍增CCD,工作原理类似光电倍增管,在信号读出的过程中,通过相对的高压,将信号逐步放大,带来的影响就是提高了灵敏度。因此背照射EMCCD最大的优点就是具有非常高的灵敏度,适合微弱信号的探测。比如单分子荧光SMF试验,目前已经完全替代了以前使用的三代ICCD。
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