第1页:边缘突破 低价超便携电脑大流行
第2页:凤凰涅磐
威盛卷土重来PK英特尔
第3页:错位对抗
威盛C7-M实力明显不济
第4页:应用测试
Atom视频播放优势明显
第5页:小即是美
主流轻省小笔电对对碰
第6页:开拓市场
华硕易PC机海战术作战
第7页:8款轻省小笔电全面比较之外观篇
第8页:8款轻省小笔电全面比较之键盘篇
第9页:8款轻省小笔电全面比较之接口篇
第10页:8款轻省小笔电全面比较之移动篇
第11页:8款轻省小笔电全面比较之通讯篇
第12页:8款轻省小笔电全面比较之散热篇
第13页:8款轻省小笔电全面比较之升级性
第14页:8款轻省小笔电全面比较之功能篇
第15页:8款轻省小笔电全面比较之性价比
第16页:谁领风骚
八款轻省小笔电全点评
凤凰涅磐 威盛卷土重来PK英特尔
在摩尔定律的指导下,英特尔的处理器不断地更新换代,给竞争对手带来了巨大的压力,无论是桌面平台还是移动平台,英特尔都以很大的优势占据着霸主的地位,而不断向英特尔发起挑战的AMD、威盛等厂商的势头则越来越弱。AMD为了顺利实施平台化策略以应对英特尔,对ATI进行了收购,但是由于业绩不佳,不仅CEO易主梅尔,还
有传言称AMD将放弃ATI。威盛则在英特尔的打压下表示将退出第三方芯片组市场,处理器方面也是进展缓慢,主流产品依然是两年前推出的C7,前景令人堪忧。
在这种情况之下,谁也不会过多期望地AMD或者威盛能够给英特尔强有力的狙击,只盼着英特尔不要太过于垄断这个市场。谁曾料想,当华硕开辟了低价超便携电脑这个市场后,威盛却赶在英特尔之前推出了专门这这类产品设计的Nano凌珑处理器,英特尔则是在台北Computex上才正式发布Atom处理器,虽然仅比威盛晚几天而已,但是风头却被Nano抢去了很多。Nano推出前后,网上流出了不少了内部测试结果,从对比来看,Nano在性能上超越了Atom,而在以往威盛处理器一直是和性能不佳划等号的,是从来没有在性能超越过英特尔最新产品的,仅凭简单的几个测试结果,Nano就让很多电脑爱好者开始期待,让人感觉威盛好像突然之间就卷土重来了。
威盛推出展示Nano凌珑处理器
我们先来说英特尔Atom,Atom处理器分为两类,为MID设计的Atom处理器CPU封装面积更小、功耗更低,功耗管理拥有从C0到C6七个状态,TDP在0.6瓦到2.4瓦之间,平均功耗则小于0.22瓦,配备这种Atom处理器的产品屏幕尺寸会在5寸以下,定位于互联网移动终端,不是我们此次要讨论的
内容;为NetBook设计的Atom处理器CPU封装面积为22mm x
22mm,TDP为2.5瓦,平均功耗小于0.6瓦,前端总线为533MHz,支持SSE3指令集和DDR2内存,配备这种Atom处理器的产品屏幕尺寸一般在7寸至10寸之间,属于我们要讨论的低价超便携电脑的范畴。
用在低价超便携电脑上的处理器有两点要求,一是性价比要高,二是功耗要低,一代易PC配备Celeron-M
353虽然价格低廉,但是性能和功耗实在难以令人满意,相比之下,新推出的Atom处理器无疑要更加适合。
特点
Netbook
MID
平价笔记本
架构
凌动
凌动
酷睿(赛扬)
核心
1
1
1
频率
1.6GHz
800MHz-1.86GHz
〉2GHz
线程
2
2
1
功耗管理
C0-C4/C4E
C0-C6
C0-C3
TDP
2.5W
0.6-2.4W
31W
平均功耗
〈0.6W
〈0.22W
约3W
二级缓存
512K
512K
1M
FSB
533MHz
400MHz,533MHz
667MHz
CPU封装(mm)
22x22
13x14
35x35
EM64T
No
No
Yes
内存支持
单通道DDR2
单通道DDR2
双通道DDR2
流式SIMD扩展
SSE,SSE2,SSE3
SSE,SSE2,SSE3
SSE,SSE2,SSE3
威盛Nano处理器相对于前一代的C7来说要强大得多,首先是制程提升到了65nm,二级缓存还从128K一跃提升为1M,这对于性能的提升有很大的帮助。除此之外,Nano还拥有几个技术特性,包括超标量计算和乱序执行技术、先进的分支预测、智能高速缓存子系统、高性能媒体计算、先进的电源和散热管理和威盛PadLock安全引擎,这些都是Nano性能提升、功耗降低以及拥有极高的安全性的关键所在,也是Nano对抗Atom的有力武器。在此我们不做太多的叙述,希望进一步了解Nano的朋友可参照《Atom死对头
解读威盛Nano凌珑处理器》。
命名
Nano凌珑
C7
核心
Isaiah
Esther
制程
65nm
90nm
一级数据缓存
64K
64K
一级指令缓存
64K
64K
二级缓存
1M
128K
前端总线
1333MHzMHz
800MHz
64位技术
支持
不支持
待机功耗
0.1瓦
0.1瓦
此次威盛推出的Nano凌珑处理器共有五款,分为两类,一类是低电压版,包括L2100和L2200两款,TDP分别是25瓦和17瓦,另一类是超低电压版,包括U2300、U2400和U2500三款,TDP分别是5瓦、8瓦、6.8瓦,笔者到现在还没有搞清楚的就是为什么命名和功耗
不是顺序排列的。大家可能会看到这里面提到的前端总线是800MHz,而前面提到的前端总线是1333MHz,1333MHz指的是Isaiah架构产品理论上可以达到的最高值,但实际应用中,前端总线还会受到实际产品以及主板的制约,800MHz就是在实际应用中可以达到的数值。
处理器名称
型号
主频
V4 FSB
封装
制程
TDP
空闲功耗
二级缓存
VIA Nano
L2100
1.8GHz
800MHz
NanoBGA2
65nm
25W
0.5W
1M
VIA Nano
L2200
1.6GHz
800MHz
NanoBGA2
65nm
17W
0.1W
1M
VIA Nano
U2300
1.3+GHz
800MHz
NanoBGA2
65nm
8W
0.1W
1M
VIA Nano
U2500
1.2GHz
800MHz
NanoBGA2
65nm
6.8W
0.1W
1M
VIA Nano
U2400
1.0GHz
800MHz
NanoBGA2
65nm
5W
0.1W
1M
(责任编辑:鲁玲)