AMD羿龙2处理器及龙平台同步首发评测

AMD 45nm火星工艺

本次AMD Phenom II强大特性的直接来源，便是自2006年以来AMD痛下决心改良的45nm制造工艺。尽管AMD方面一直宣称用户真正关心并且需要的是产品本身，而不是处理器的制造工艺细节，但无可否认，在AMD历史上，凡是出色产品必定伴随着制造工艺的良好掌握度。在130nm和90nm两个半导体制程的历史节点上，AMD为我们带来了经典的K8架构速龙、闪龙、皓龙甚至移动平台的炫龙处理器，在这两代制造工艺上腾飞的K8架构处理器，可以说让如今广大的中国玩家和用户认识、熟知、信赖AMD处理器，直至让AMD在中国彻底生根发芽到今天也难以动摇的基石。在其后的65nm工艺节点上，AMD取得了相当的成绩但也显露出对未来发展的瓶颈。其成效是让AMD的速龙系列处理器成本大大降低，直至将AMD处理器普及到最广大的玩家中，并且造就了3600+，3800+直至黑盒5000+等等这一系列经典产品。显露出的瓶颈问题在于65nm节点上，AMD设计和制造新一代K10架构处理器上遇到了难题。65nm工艺下核心面积接近285平方毫米的羿龙、皓龙处理器核心在频率攀升上受到了制约，并且在频率攀升至2.5GHz以上的同时，功耗和发热也变得难以控制，尤其是在桌面版的羿龙处理器上问题显得比较明显。

65nm世代Phenom处理器止步2.6GHz

好在AMD K10架构的灵活设计使得AMD可以利用现有技术条件开发出三核这样的独特的产品有效的参与市场竞争，但高端四核处理器的频率和功耗瓶颈则直接制约着AMD的处理器平均售价和盈利能力。所幸45nm终于如愿如期问世了，在经历了2007～2008长达两年的波折之后，AMD的处理器部门和制造工厂终于交出了一份令人满意的答卷。

早在2006年，AMD与IBM就开始了在45nm及其后制程上的合作研发，也就在那时，AMD与IBM方面公布了部分相关信息。在45nm制程上，AMD方面决定启用的三种技术分别是沉浸式光蚀刻（Immersion lithography）、超低k电介质互联技术（Ultra low-K dielectric interconnect），以及多重增强晶体管应变技术。

沉浸式蚀刻即在镜头与晶圆间加入了液态介质，填满重复光刻系统步骤的投影镜头与含有数百个微处理器的晶圆间空隙，提升了聚焦程度并改善影像精确度，进而加强芯片层级的效能与制程效率，使得AMD能够加强处理器在设计定义与制造方面的一致性，获得更小的晶圆几何体，令AMD可以生产出更高精密度的处理器。据称如一个SRAM内存晶片的性能，可藉由这项加强的制程能力提升15%，而不需依赖成本较高的双重曝光技术。

多孔、超低k电介质互联技术（Ultra low-K dielectric interconnect），则能降低互联电容、写入延迟和能量消耗，从而明显提高性能功耗比（每瓦特性能），它可以降低金属层间的电容量与导线延迟，对于进一步提升处理器效能与减少能源耗损是非常重要的步骤。在保证互联电介质机械强度的同时，超低k电介质技术能减小其介电常数。与目前的low-k电介质相比，Ultra-low-k电介质能降低15％左右的写入延迟。

多重增强晶体管应变技术的目的则是解决45nm时代晶体管封装密度增大的难题。AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将p通道晶体管的驱动电流提高80％，将n通道晶体管的驱动电流提高24％。

AMD与IBM在2005年11月宣布，将双方的合作开发计划延长到2011年，覆盖32nm和22nm工艺。双方希望能在2008年年中拿出首批使用上述新技术的45nm产品。如今，AMD的45nm工艺产品已经在去年11月发布的Shanghai核心皓龙处理器以及如今发布的Deneb核心Phenom II上最好的证明了自身的价值。并且由于三种技术的启用，AMD方面也具备了加快导入32nm制程的能力。