来源：驱动之家
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在前后两年的时间里，Intel为32nm工艺投入了大约70亿美元，俄勒冈D1D和D1C、亚利桑那Fab 32、新墨西哥Fab 11x都即将出产新工艺芯片，并会在第四季度带来实际收入。
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Intel 32nm工艺使用了第二代高K金属栅极(HK+MG)和第四代应变硅，驱动电流是已知技术中最高的，集成晶体管数量超过19亿个，SRAM单元面积0.171平方微米，运行频率可达3.8GHz。
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22nm SRAM测试晶圆也已经出炉了，第三代高K金属栅极(HK+MG)技术，超过29亿个晶体管。SRAM晶圆能正常工作为新工艺处理器奠定了坚实的基础。
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