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[评测]经典再造 评ThinkPad当红小生Edge E30

来源:PConline
2010年01月14日11:39
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六、ThinkPad Edge E30整机硬件分析

  从09年发布的超低电压处理器从种类上可以分为:入门级的赛扬级、性价比的奔腾级以及定位高性能的酷睿2这三种类型,其全新超低电压处理器均有单双核产品上市,从10年第2季度起英特尔将再次推出了全新系列酷睿家族i系列超低电压处理器产品,全面代替之前的超低电压处理器,本次评测的ThinkPad Edge E30采用了奔腾SU4100超低电压处理器,足矣保证了长续航以及不错的性能。


超低电压处理器及芯片组


芯片组信息

  芯片组GS45,它的大多数功能和参数跟GM45相同,如GMA 4500MHD集成显卡以及对DDR3和DDR2内存的支持,ThinkPad Edge E30采用了DDR3内存,GS45芯片组北桥和南桥的大小分别为25×27mm和16×16mm,相比起GM45芯片组的34×34mm和31×31mm来小了40%至70%之多,GS45芯片组兼容全系列Core2处理器,包括外频为1066MHz的产品。


CPU-Z信息

  本次评测的ThinkPad Edge E30采用的是的奔腾双核SU4100处理,采用了45nm制程,主频1.3GHz,缓存为2M,虽然是泵疼核心但是其性能较酷睿2单核的低电压处理器性能提升也是十分明显的,具体的双核性能表现如何下面讲为大家揭示。

核心
型号
主频
二级缓存
前端总线
工艺
功耗
Core2 Duo SU9600 1.6GHz 3M 800MHz 45nm 10W
Core2 Duo SU9400 1.4GHz 3M 800MHz 45nm 10W
Core2 Duo SU7300 1.3GHz 3M 800MHz 45nm 10W
Pentium SU4100 1.3GHz 2M 800MHz 45nm 10W
Celeron SU2300 1.2GHz 1M 800MHz 45nm 10W

上一代超低电压处理器产品

核心
型号
主频
Turbo
频率
缓存
内存支持DDR3
工艺
功耗
封装
Nehalem 酷睿i7 640LM 2.13GHz 2.93GHz 4M 1066MHz 32nm 25W BGA
Nehalem 酷睿i7 620LM 2.0GHz 2.8GHz 4M 1066MHz 32nm 25W BGA
Nehalem 酷睿i7 640UM 1.2GHz 2.26GHz 4M 800MHz 32nm 18W BGA
Nehalem 酷睿i7 620UM 1.06GHz 2.13GHz 4M 800MHz 32nm 18W BGA
Nehalem 酷睿i5 520UM 1.06GHz 1.86GHz 3M 800MHz 32nm 18W BGA

全新酷睿i家族超低电压产品


WIN7自检

  WIN7自检测试取得3.4分成绩,U4100的CPU 3.9的得分表现一般,内存部分得分均处于平均水平,另外显卡方面仅3.4的得分表现属于正常X4500集成显卡的范畴。


硬盘性能测试

  ThinkPad Edge E30并没有采用成本较高的固态硬盘而是采用的普通的3.5英寸笔记本硬盘,在保证轻薄的同时可以较好的控制成本。通过HD-tune测试软件可以看出这块富士通的320GB硬盘的性能表现尚可,平均速度为62MB/sec,处理器占用很低为4.9%,实际使用中在运行较大的程序时如Photoshop等,该硬盘的读取稳定速度还是非常不错的。

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责任编辑:yangzhixin
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